Crecimiento de películas delgadas de ZnO por nebulización pirolítica

Abstract

Los films de ZnO depositados por nebulización pirolítica son una buena opción como materiales semiconductores transparentes de bajo costo. El proceso de nebulización pirolítica conlleva la evaporación de una solución que contiene iones de Zn sobre un sustrato que se mantiene a temperatura constante entre 350°C y 450°C. Una posibilidad para obtener recubrimientos de baja resistividad (del orden de 0.1 ohm*cm) es lograr capas homogéneas de baja porosidad de un espesor del orden de 1 m. En este trabajo se presenta el resultado de variar la proporción agua/etanol utilizado como solvente.