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dc.date.accessioned 2023-09-11T18:24:13Z
dc.date.available 2023-09-11T18:24:13Z
dc.date.issued 2023-06
dc.identifier.uri http://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/157495
dc.description.abstract Los films de ZnO depositados por nebulización pirolítica son una buena opción como materiales semiconductores transparentes de bajo costo. El proceso de nebulización pirolítica conlleva la evaporación de una solución que contiene iones de Zn sobre un sustrato que se mantiene a temperatura constante entre 350°C y 450°C. Una posibilidad para obtener recubrimientos de baja resistividad (del orden de 0.1 ohm*cm) es lograr capas homogéneas de baja porosidad de un espesor del orden de 1 m. En este trabajo se presenta el resultado de variar la proporción agua/etanol utilizado como solvente. es
dc.format.extent 56-56 es
dc.language es es
dc.subject semiconductores de capa delgada es
dc.subject solvente de solución es
dc.subject thin-film semiconductors es
dc.subject solution solvent es
dc.title Crecimiento de películas delgadas de ZnO por nebulización pirolítica es
dc.title.alternative Growth of ZnO thin films by pyrolytic nebulization en
dc.type Articulo es
sedici.identifier.uri https://revistas.unlp.edu.ar/InvJov/article/view/15200 es
sedici.identifier.issn 2314-3991 es
sedici.creator.person Morinigo, Luis Ezequiel es
sedici.creator.person Vaveliuk, Pablo es
sedici.creator.person Tejerina, Matías Rubén es
sedici.subject.materias Química es
sedici.subject.materias Física es
sedici.description.fulltext true es
mods.originInfo.place Facultad de Ciencias Agrarias y Forestales es
sedici.subtype Comunicacion es
sedici.rights.license Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International (CC BY-NC-SA 4.0)
sedici.rights.uri http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
sedici.relation.event II Jornadas sobre Tecnología de Recubrimientos (La Plata, 19 de abril de 2023) es
sedici.description.peerReview peer-review es
sedici.relation.journalTitle Investigación Joven es
sedici.relation.journalVolumeAndIssue vol. 10, no. 1 es


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Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International (CC BY-NC-SA 4.0) Excepto donde se diga explícitamente, este item se publica bajo la siguiente licencia Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International (CC BY-NC-SA 4.0)